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  • PT124G-3500MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器
    PT124G-3500MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器 簡要描述:PT124G-3500-55/55D系列MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片,內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊,是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上,使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移,并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端,通過集成電路監(jiān)測該位移變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。
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    更新日期

    2025-09-27
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  • PT124G-3500高過壓性能單晶硅差壓傳感器
    PT124G-3500高過壓性能單晶硅差壓傳感器 簡要描述:PT124G-3500-55/55D系列高過壓性能單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片,內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊,是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上,使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移,并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端,通過集成電路監(jiān)測該位移變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。
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  • PT124G-3500溫度補償單晶硅差壓傳感器
    PT124G-3500溫度補償單晶硅差壓傳感器 簡要描述:PT124G-3500-55/55D系列溫度補償單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片,內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊,是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上,使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移,并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端,通過集成電路監(jiān)測該位移變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。
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  • PT124G-3500高精度單晶硅差壓傳感器
    PT124G-3500高精度單晶硅差壓傳感器 簡要描述:PT124G-3500-55/55D系列高精度單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片,內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊,是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上,使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移,并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端,通過集成電路監(jiān)測該位移變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。
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  • PT124G-3500負壓力測量單晶硅差壓傳感器
    PT124G-3500負壓力測量單晶硅差壓傳感器 簡要描述:PT124G-3500-55/55D系列負壓力測量單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片,內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊,是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上,使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移,并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端,通過集成電路監(jiān)測該位移變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。
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  • PT124G-3500壓力變送器元件單晶硅差壓傳感器
    PT124G-3500壓力變送器元件單晶硅差壓傳感器 簡要描述:PT124G-3500-55/55D系列壓力變送器元件單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片,內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊,是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上,使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移,并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端,通過集成電路監(jiān)測該位移變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。
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